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P L I M I N A R
DC特性
CMOS兼容
Paramete
r
I
LI
I
点亮
I
LO
描述
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
字节模式
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
文字模式
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±0.3
V
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V
V
IH
= V
CC
±
0.3 V;
V
IL
= V
SS
±
0.3 V
–0.5
0.7× V
CC
11.5
5兆赫
1兆赫
5兆赫
1兆赫
7
2
7
2
15
0.2
0.2
0.2
民
典型值
最大
±1.0
35
±1.0
15
4
15
4
30
5
5
5
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
0.45
0.85 V
CC
V
CC
–0.4
2.3
2.5
V
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
mA
单位
A
A
A
I
CC1
V
CC
读操作工作电流
（注1,2 ）
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
V
CC
主动写电流
（注2，3， 5）
V
CC
待机电流（注
2)
V
CC
复位电流（注2 ）
自动休眠模式
（注2,4）
输入低电压
输入高电压
电压自动选择和
V = 3.3 V
临时机构撤消
CC
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
（注4 ）
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
注意事项：
1.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
。典型的V
CC
为3.0 V.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
3. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
5.未经100％测试。
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Am29LV800D
Am29LV800D_00_A4_E 2005年1月21日
