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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / SST89E54RD2 / SST89E58RD2 / SST89E516RD2
SST89V52RD2 / SST89V54RD2 / SST89V58RD2 / SST89V516RD2
初步规格
14.2 AC电气特性
交流特性：
（在工作条件：负载电容为P0口， ALE ＃和PSEN ＃ = 100pF的;
负载电容为其他输出= 80pF ）
表14-8 ： AC é
LECTRICAL
C
极特
(1
OF
2)
T
a
= -40°C
TO
+85 ？ C，V
DD
= 2.7-3.6V@33MH
Z
， 4.5-5.5V@40MH
Z
, V
SS
= 0V
振荡器
33兆赫（ X1模式）
16兆赫（ x2模式）
1
符号
参数
民
0
0
46
5
10
5
10
56
55
5
10
66
60
35
25
0
25
10
22
72
65
10
142
120
142
120
62
75
0
36
38
152
150
183
150
66
46
70
116
60
90
3T
CLCL
- 25 (3V)
3T
CLCL
- 15 (5V)
4T
CLCL
- 75 (3V)
4T
CLCL
- 30 (5V)
0
0
2T
CLCL
- 25 (3V)
2T
CLCL
- 12 (5V)
8T
CLCL
- 90 (3V)
8T
CLCL
- 50 (5V)
9T
CLCL
- 90 (3V)
9T
CLCL
- 75 (5V)
3T
CLCL
+ 25 (3V)
3T
CLCL
+ 15 (5V)
10
6T
CLCL
- 40 (3V)
6T
CLCL
- 30 (5V)
6T
CLCL
- 40 (3V)
6T
CLCL
- 30 (5V)
5T
CLCL
- 90 (3V)
5T
CLCL
- 50 (5V)
17
T
CLCL
- 8
5T
CLCL
- 80 (3V)
5T
CLCL
- 60 (5V)
10
T
CLCL
- 5 (3V)
T
CLCL
- 15 (5V)
T
CLCL
- 25 (3V)
T
CLCL
- 15 (5V)
3T
CLCL
- 25 (3V)
3T
CLCL
- 15 (5V)
3T
CLCL
- 55 (3V)
3T
CLCL
- 50 (5V)
最大
33
16
40兆赫（ X1模式）
20兆赫（ x2模式）
1
民
0
0
35
最大
40
20
民
0
0
2T
CLCL
- 15
T
CLCL
- 25 (3V)
T
CLCL
- 15 (5V)
T
CLCL
- 25 (3V)
T
CLCL
- 15 (5V)
4T
CLCL
- 65 (3V)
4T
CLCL
- 45 (5V)
变量
最大
40
20
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1/T
CLCL
1/2T
CLCL
T
LHLL
T
AVLL
T
LLAX
T
LLIV
T
LLPL
T
PLPH
T
PLIV
T
PXIX
T
PXIZ
T
PXAV
T
特拉维夫
T
PLAZ
T
RLRH
T
WLWH
T
RLDV
T
RHDX
T
RHDZ
T
LLDV
T
AVDV
T
LLWL
T
AVWL
X1模式的振荡器频率
X2模式振荡器频率
ALE脉冲宽度
地址有效到ALE低
地址保持ALE低后
ALE低到有效INSTR
ALE低到PSEN ＃低
PSEN ＃脉冲宽度
PSEN ＃低到有效INSTR在
输入指令输入后保持PSEN ＃
输入INSTR浮动后PSEN ＃
PSEN ＃到地址有效
地址在有效INSTR
PSEN ＃低到地址浮
RD ＃脉冲宽度
把脉冲宽度（ WE＃ ）
RD ＃低到有效数据中
数据保持后RD ＃
数据浮动后RD ＃
ALE低到有效数据中
地址中的有效数据
ALE低到RD＃和WR ＃低
地址RD＃和WR ＃低
2004硅存储技术公司
S71255-00-000
3/04
75
