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飞利浦半导体
产品speci fi cation
16位边沿触发的D型佛罗里达州的ip-佛罗里达州运算; 3.6 V电压;
3-state
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
2.0纳秒。
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
NCP为NQ
n
条件
V
CC
= 1.2 V
V
CC
= 1.5 V
V
CC
= 1.8 V
V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3.3 V
f
最大
最大时钟脉冲
频率
V
CC
= 1.2 V
V
CC
= 1.5 V
V
CC
= 1.8 V
V
CC
= 2.5 V
V
CC
= 3.3 V
C
I
C
PD
输入电容
功耗
每个缓冲电容
注1和2
输出启用
输出禁用
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率; F
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
功能表
见注1 。
输入
操作模式
诺埃
加载和读取寄存器
装入寄存器和输出禁用
记
1. H =高电压电平;
H =高电平电压电平一个建立时间之前的低到高的CP的过渡;
L =低电压电平;
升=低电压电平的一个建立时间之前的低到高的CP的过渡;
Z =高阻关断状态;
↑
=低到高CP的过渡。
2000 3月09
3
L
L
H
H
NCP
↑
↑
↑
↑
nD
n
l
h
l
h
国内
倒装FL OPS
L
H
L
H
66
1
3.1
2.4
2.0
1.5
1.3
250
300
320
350
350
5.0
74AVC16374
典型值。
ns
ns
ns
ns
ns
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
pF
pF
pF
输出
nQ
n
L
H
Z
Z
