茂矽
功能说明
V58C265404S
s
上电顺序
下面的序列需要通电。
1.接通电源，并尝试保持CKE处于较低状态（所有其他投入可能是不确定的。 ）
- 之前或同时为VDDQ应用VDD。
- 之前或同时为VTT & Vref的应用VDDQ 。
2.启动时钟和保持稳定的条件至少200us的。
3. 200us的稳定电源和时钟（ CLK ， CLK ）之后的最低，适用NOP &采取CKE高。
4.预充电所有银行。
5.发行EMRS使DLL 。 （要发出“DLL启用”命令，为“低”，以A0 ， “高”，以BA0
和“低”的所有其余的地址引脚， A1 A11和BA1 ）
6.发行模式寄存器设置命令“DLL复位” 。新增200个循环时钟输入的是
以锁定该DLL需要。 （要发出DLL复位命令，为“高”，以A8和“低”到BA0 ）
7.发出预充电命令为设备的所有银行。
8.问题2或更多自动刷新命令。
9.发行模式寄存器设置命令初始化设备操作。
每注1 “DLL enable”命令重置DLL 。因此序列6可在上电时被跳过。取而代之的是，
新增200个循环时钟输入时必须使DLL锁定后的DLL 。
上电顺序&自动刷新（ CBR ）
0
CK ， CK
2时钟分。
2时钟分。
预充电
所有银行
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
t
RP
第一汽车
刷新
t
RFC
第二届汽车
刷新
t
RFC
2时钟分。
模式
寄存器集
任何
命令
命令
EMRS
太太
复位DLL
min.200周期
4
5
6
7
7
扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
扩展模式寄存器的存储数据，用于启用或禁用的DLL。该扩及的默认值
编辑模式寄存器没有定义，因此在扩展模式寄存器必须写上电后的恩
abling或禁用的DLL 。扩展模式寄存器写的是在CS ， RAS，CAS ， WE和主张低
高上BA
0
（在DDR SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经写入之前高
扩展模式寄存器） 。地址引脚的状态
0
~ A
11
和BA
1
在相同的周期的CS ，RAS
CAS和WE低被写入扩展模式寄存器。两个时钟周期才能完成该
在扩展模式寄存器写操作。模式寄存器中的内容可以使用相同的改变
操作过程中命令和时钟周期的要求，只要所有银行都处于空闲状态。一
0
用于
对于DLL启用或禁用。在BA “高”
0
用于EMRS 。所有其他地址引脚除A
0
和BA
0
必须设置为低正确EMRS操作。一
1
是用在EMRS指示I / O强度将
1
= 0充满力量，
A
1
= 1个半强度。请参阅下表为具体的代码。
V58C265404S修订版1.4 2000年1月
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