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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / SST89E54RD2 / SST89E58RD2 / SST89E516RD2
SST89V52RD2 / SST89V54RD2 / SST89V58RD2 / SST89V516RD2
初步规格
在PROG - SB1 ， PROG- SB2 ， PROG- SB3命令程序
安全位，这些位的功能描述
安全锁部分，也表9-1所示。一旦亲
编程，这些位只能通过芯片级擦除
擦除命令。参见图14-21的时序波形。
PROG- SC0命令程序SC0位，它决定
SFCF [ 0 ]的状态下进行复位。一旦编程， SC0
只能通过芯片擦除恢复到擦除状态
命令。参见图14-22的时序波形。
PROG- SC1命令程序SC1位，它决定
SFCF [1]的状态下进行复位。一旦编程， SC1
只能通过芯片擦除恢复到擦除状态
命令。参见图14-22的时序波形。
4.1.4外部主机模式的时钟源
在外部主机模式，内部振荡器提供
时钟的装置，并且所述振荡器是不受
时钟倍频逻辑。片上振荡器将被关
作为设备进入外部主机模式;即，当
PSEN ＃变低时， RST为高。在外部主机
模式下，CPU核心处于复位状态。当从克斯特退出
最终主机模式，内部振荡器被关闭。
4.1.5的Flash操作状态检测通过外部
主持人握手
该设备提供了两种方法用于在外部主机向
检测完成闪速存储器的操作为了优化
迈兹编程或擦除时间。一个闪存存储器的结束
储器的运行周期可以由被检测：
1.监测就绪/忙＃位在P3 [ 3 ] ;
2.监测数据＃投票位在P0 [ 3 ] 。
4.1.5.1就绪/忙＃ （ P3 [3] ）
闪存编程的进度可
由就绪/忙＃输出信号进行监测。 P3 [3]是
驱动为低电平，期间经过ALE / PROG ＃一段时间走低
快闪记忆体的操作指示的忙状态＃
闪光灯控制单元（ FCU ） 。 P3 [3]被驱动为高时的
闪存编程操作完成时，表示
READY状态。
4.1.5.2数据＃投票（ P0 [ 3 ] ）
在程序操作，任何试图读取（字节 -
验证） ，而设备忙时，将收到的完井
的最后一个字节的数据加载的精神疾病（逻辑低，即“0”为
在P0一个擦除） [3]用的比特为“0”的其余部分。在一
程序运行时，字节校验命令正在读
的最后一个字节的加载的数据，而不是在地址中的数据
指定的。
4.1.6指令来执行外部主机模式
COMMANDS
编程数据到存储器阵列中，接通电源
电源电压（V
DD
）到V
DD
和RST引脚，和每
形成以下步骤：
1.保持RST高，并设置PSEN ＃从逻辑高
到低时，按顺序根据适当
时序图。
2.抬起EA ＃高（V
IH
).
3.发出读ID命令用来打开外部
HOST模式。
4.检查内存块或部门为亲
编程是在擦除状态， FFH。如果它们是
没有抹去，然后用适当的删除它们
擦除命令。
5.使用地址选择存储位置
线（ P3 [ 5：4] ，P 2 [5：0 ]中，P1 [7： 0]）。
6.出示的数据中在P0 [ 7：0] 。
7.脉冲ALE / PROG ＃ ，观察最小脉冲
宽度。
8.等待低电平到READY / BUSY ＃大转变
(P3[3]).
直到节目结束8 - 9，重复步骤5 。
10.验证闪存内容。
4.1.7其他读取命令在外部主机
模式
发出额外的读命令的步骤，示出
在下面的表4-4中，相同的读取的ID命令
格式中，只有地址被改变。这里是一个简短的清单
有用的功能：
阅读安全位的状态
（ SB1_i ， SB2_i ， SB3_i ） 。
读取配置位（ SC0_i ， SC1_i ）状态。
读时钟模式（ EDC_i ）状态。
注意：
在表4-4中所示的命令是不
布防类型。
2004硅存储技术公司
S71255-00-000
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