位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第749页 > HY62V8200BLLT1-E > HY62V8200BLLT1-E PDF资料 > HY62V8200BLLT1-E PDF资料1第8页
Y62V8200B系列
注（写周期） ：
低重叠期间发生1.写入/ WE ，低/ CS1and高CS2 。写始于最新
之间的过渡/ CS1现在要去，要去CS2高/我们要低：在最早的写结束
中/ CS1要高， CS2低，过渡/我们要高。 TWP是从开始时所测
写入到写的末尾。
.
2. TCW是从/ CS1变为低电平或CS2变高，以写入结束时存货测量。
3. TAS从地址有效到写操作的开始测量。
4. tWR是写入地址变更的末端测量。如果一个写操作结束的tWR1施加
/ CS1，或/ WE变高， tWR2是万一在CS 2的写入端变为低电平施加。
5.如果/ OE ， CS2和/我们在这期间读模式，以及I / O引脚输出低电平-Z
状态时，输出的相位相反的输入不能被应用，因为总线争用可能发生。
6.如果/ CS1同时变低与/ WE变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
7. Dout为新地址的读数据。
8.当/ CS1为低和CS2为高电平， I / O引脚的输出状态。在相反的输入信号
相导致产出不宜应用。
转06 / 2001年4月
7
