VHFD 16
半控
单相整流桥
包括续流二极管和二极管场
V
RRM
= 800-1600 V
I
DAVM
= 21 A
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
TYPE
3
1 2
5
VHFD 16-08io1
VHFD 16-12io1
VHFD 16-14io1
VHFD 16-16io1
6
8
10
大桥和续流二极管
符号
I
DAV
I
DAVM
x
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
H
= 85°C ，模块
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
It
2
最大额定值
16
21
15
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
150
170
130
140
110
120
85
80
150
A
A
A
A
A
A
A
As
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
2
特点
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3600 V
平面钝化芯片
阻断电压高达1600 V
低正向压降
信息适用于PC板焊锡
UL注册的电子72873
q
q
q
q
q
q
q
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
应用
供应直流电源设备
直流电机控制
q
q
q
q
q
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= 125°C
重复的，我
T
= 50 A
F = 50 Hz时，T
P
= 200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 0.5 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= 0.5 I
DAVM
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
500
1000
10
10
5
1
0.5
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
mm
mm
M / S
2
Nm
lb.in.
g
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
d
S
d
A
a
M
d
重量
版权所有2000 IXYS所有权利。
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
-40...+125
125
-40...+125
3000
3600
12.7
9.4
50
2-2.5
18-22
35
表面的爬电距离
在空袭的距离
马克斯。允许加速
安装力矩
(M5)
（ 10-32 UNF ）
1-3
