1999年4月
FDC6321C
双N & P通道FET数字
概述
这些双N & P沟道逻辑电平增强模式
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这很
高密度工艺特别是针对减少
通态电阻。该装置的设计
特别是对于低电压应用中，以替换
数字晶体管在负载开关应用。由于偏见
电阻不需要此双数字FET可以取代
几个数字晶体管具有不同的偏置电阻。
特点
N沟道25 V ， 0.68 A，R
DS （ ON）
= 0.45
@ V
GS
= 4.5 V
P沟道-25 V， -0.46 A，R
DS （ ON）
= 1.1
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
运行在3 V的电路。 V
GS （ TH）
< 1.0V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6kV人体模型
替换多个双NPN & PNP数字晶体管。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
马克： 0.321
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
S1
D1
4
3
G2
5
2
SuperSOT
TM
-6
S2
G1
6
1
绝对最大额定值
符号
参数
T
A
= 25
o
C除非其他明智的注意
N沟道
P沟道
单位
V
DSS
, V
CC
V
GSS
, V
IN
I
D
, I
O
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
漏源电压，供电电压
栅源电压，
漏/输出电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
25
8
0.68
2
0.9
0.7
-55到150
6
-25
-8
-0.46
-1.5
V
V
A
W
工作和存储Tempature游侠
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
°C
kV
热特性
R
θJA
R
θJC
（注1A ）
（注1 ）
140
60
° C / W
° C / W
1999仙童半导体公司
FDC6321C.RevB
