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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
2.5
框图
DQ15~DQ0
A15~A0
CLK
CE / CE1
CE2
OE
WE
RP
AVD
INT
RDY
内部寄存器
（地址/命令/配置
/状态寄存器）
主机接口
DataRAM0
DataRAM1
NAND闪存
ARRAY
BufferRAM
BootRAM
的statemachine
引导程序
错误
更正
逻辑
OTP
（1块）
2.6
存储器阵列组织
所述的OneNAND体系结构在一个芯片上集成了多个存储区。
2.6.1
内部（ NAND阵列）存储结构
芯片上的内部存储器是用于存储数据和代码的单级单元（SLC） NAND阵列。内部存储器被划分
成主区和备用区。
主要区域
主区是主存储器阵列。这个主要区域被划分为64页的块。在一个块，每一页是2KB和
由4个扇区。在一个页面，每个扇区为512B和由256个字。
备用区
备用区，用于无效块信息和ECC存储器。内部存储器的空余面积与相应关联
荷兰国际集团内部存储器的主要区域。在一个块，每一页有四个16B部门的备用区。每个备用区部门是8个字。
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