VN800S （ 8961 ） / VN800PT （ 8961 ）
应用原理
V
CC
5V
V
OLT 。
REG
控制&诊断的I / O
V
CC
24VDC
RPROT
意法半导体TUS
A
D
id
RPROT
B
US
AS
IC
输入
OU
TPUT
LO
A
R
GND
L
DG
ND
ND
V ND RG
G
接地保护
电池反接
网
针对
解决方案1：电阻接地线（R
GND
只） 。这
可用于任何类型的负载。
下面是一个指示如何标注尺寸
R
GND
电阻器。
1) R
GND
≤
在600mV / （I
S（上）最大
).
2) R
GND
≥ (V
CC
) / (-I
GND
)
其中， -I
GND
是直流反接接地引脚电流，可
中的绝对最大额定值部分找到
器件的数据手册。
在研发功耗
GND
（当V
CC
<0 ：在反向
电池的情况下）为：
P
D
= (-V
CC
)
2
/R
GND
该电阻之间可以几种不同的共享
HSD 。请注意，此电阻器的值应该是
用式（1）计算，其中我
S（上）最大
成为
最大导通状态的电流的不同的的总和
设备。
请注意，如果该微处理器地面不
常见的与设备接地，然后第r
GND
将
产生移位（我
S（上）最大
* R
GND
）中的输入门限
和状态输出值。这种转变会有所不同
在几种情况下依赖于许多设备都接通
高侧驱动器共享相同的R-
GND
.
如果计算出的功率耗散导致大的电阻
或几个设备必须共享相同的电阻，然后
将ST表明利用方案2 （见下文） 。
解决方案2：二极管（D
GND
）在所述接地线。
电阻（R
GND
= 1kΩ的）应插入在平行于
D
GND
如果该装置将被驱动的电感负载。
这个小信号二极管之间可以安全共享
几种不同的HSD 。另外，在这种情况下，存在
地面网络将产生的移位（
j
在600mV ）在
输入阈值和状态输出值，如果
微处理器地面不常见的设备
地面上。这种转变将不会发生变化，如果超过一个HSD
共享相同的二极管/电阻网络。
负载突降保护
D
ld
是必要的（电压瞬态抑制器） ，如果
负载突降峰值电压超过V
CC
最高额定直流电压等级。该
同样的情况发生在设备会受到上的瞬变
在V
CC
线是大于在所示的那些
ISO T / R 7637/1表。
C
I / O的保护：
如果有接地保护网络的使用和负
瞬变的存在在V
CC
线，控制引脚会
被拉负。 ST表明插入一个电阻器（R
PROT
)
管线，以防止
C
的I / O引脚闩锁。
这些电阻的值之间的一个折衷
漏电流
C
和所要求的电流
HSD的I / O （输入电平兼容）与闩锁限制
of
C
I / O操作。
-V
CCpeak
/I
闭锁
≤
R
PROT
≤
(V
OHμC
-V
IH
-V
GND
) / I
IHMAX
计算示例：
对于V
CCpeak
= - 100V和我
闭锁
≥
20毫安; V
OHμC
≥
4.5V
5k
≤
R
PROT
≤
65k.
推荐的
PROT
值是10kΩ 。
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