M95160, M95080
从存储阵列中读取（ READ ）
如图
图11 ，
该指令发送到
该装置中，芯片选择（ S）被第一从动低。该
的指令字节和地址字节位
然后移入，串行数据输入（D ） 。这种吸附
裙被装入一个内部地址寄存器
而数据在该地址字节被移出，
串行数据输出（ Q） 。
如果芯片选择（ S）继续被驱动为低电平时，
内部地址寄存器自动递增
mented ，和数据的新地址的字节
移出。
当达到最高地址，这个地址
计数器复位到零，从而读出周期
要无限期地继续下去。整个内存
能，因此，用一个单一的READ指令读取
化。
读周期是由驱动芯片硒终止
择（S ）高。的片选信号的上升沿
（S）信号可以出现在循环过程中的任何时间。
第一个字节地址可以是在任何字节
任何页面。
该指令不被接受，并且是不execut-
版，如果一个写周期正在进行中。
图11.从内存阵列（READ ）顺序阅读
S
0
C
指令
16位地址
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
D
高阻抗
Q
15 14 13
最高位
3
2
1
0
数据输出1
7
6
5
4
3
2
1
0
数据输出2
7
最高位
AI01793D
注意：根据存储器大小，如图
表7 ，
最显著的地址位无关。
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