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30V N沟道功率MOSFET
典型特征
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
输出特性
8
AAT9460
传输特性
8
5V
4.5V
6
3.5V
3V
2.5V
2V
I
D
(A)
V
D
=V
G
6
I
DS
(A)
4
4
125°C
2
2
25°C
0
0.5
1
1.5
-55°C
2
2.5
3
1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
0
V
GS
(V)
V
DS
(V)
导通电阻与漏电流
120
100
120
100
导通电阻与栅极至源极电压
I
D
= 3.6A
R
DS （ ON）
(m)
R
DS （ ON）
(m)
80
60
40
20
0
0
80
60
40
20
0
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 4.5V
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
I
D
(A)
V
GS
(V)
导通电阻与结温
1.6
0.3
阈值电压
I
D
= 250A
归一化
DS （ ON）
V
GS （ TH）
方差（ V）
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
V
GS
= 4.5V
I
D
= 3.6A
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
(C)
T
J
(°C)
9460.2003.10.0.63
3
