30V N沟道功率MOSFET
电气特性
符号
描述
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
30
46
65
8
0.6
±100
1
5
9
5
0.9
1
6
3
30
8
1.3
1.0
58
84
AAT9460
典型值
最大
单位
V
m
A
V
nA
A
S
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
D
=-250A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=3.4A
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
2
V
GS
= -2.5V ，我
D
=2.8A
I
D（上）
通态漏电流
2
V
GS
=4.5V, V
DS
= 5V （脉冲）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250A
I
GSS
门体漏电流
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=30V
I
DSS
漏源极漏电流
V
GS
=0V, V
DS
= 24V ，T
J
=70°C
3
g
fs
正向跨导
2
V
DS
= -5V ，我
D
=3.4A
动态特性
3
Q
G
总栅极电荷
V
DS
= 15V ，R
D
=4.2, V
GS
=4.5V
Q
GS
栅极 - 源电荷
V
DS
= 15V ，R
D
=4.2, V
GS
=4.5V
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15V ，R
D
=4.2, V
GS
=4.5V
t
D（上）
导通延迟
V
DS
= 15V ，R
D
=4.2, V
GS
=4.5V,
t
R
开启上升时间
V
DS
= 15V ，R
D
=4.2, V
GS
=4.5V,
t
D（关闭）
关断延时
V
DS
= 15V ，R
D
=4.2, V
GS
=4.5V,
t
F
关断下降时间
V
DS
= 15V ，R
D
=4.2, V
GS
=4.5V,
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
2
V
GS
=0, I
S
=3.4A
I
S
连续二极管电流
1
nC
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
R
G
=6
ns
V
A
注1 ：根据散热结点到环境，同时安装在一个1 “×1”的PCB采用优化的布局。 5秒脉冲
在一个1 “×1”的PCB近似于测试安装在一个大的多层印刷电路板中的许多应用中的装置。
θJF
+ R
-FA
= R
θJA
其中，脚热参考被定义为设备的引线的正常焊接安装表面。
θJF
被担保
设计;然而，R
-FA
通过PCB设计来确定。实际最大连续电流由该应用程序的设计限制。
注2 ：脉冲测试：脉冲宽度= 300微秒。
注3 ：设计保证。不受生产测试。
2
9460.2003.10.0.63
