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HYR 16xx20G / HYR 18xx20G
Rambus公司RIMM模块
绝对最大额定值
符号参数
限值
分钟。
马克斯。
– 0.3
– 0.5
– 50
单位
V
我， ABS
V
DD ， ABS
T
商店
电压施加到任何RSL或CMOS信号焊盘与
对于GND
电压
V
DD
相对于GND
储存温度
V
DD
+ 0.3 V
V
DD
+ 1.0 V
100
°C
DC推荐电气条件
符号
参数和条件
分钟。
电源电压
CMOS I / O焊盘处供电
2.5 V控制器：
CMOS I / O焊盘处供电
1.8 V控制器：
参考电压
RSL输入低电压
RSL输入高电压
CMOS输入低电压
CMOS输入高电压
2.50 – 0.13
2.5 – 0.13
1.8 – 0.1
1.4 – 0.2
限值
马克斯。
2.50 + 0.13
2.5 + 0.25
1.8 + 0.2
1.4 + 0.2
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
单位
V
DD
V
CMOS
V
REF
V
IL
V
IH
V
IL ， CMOS
V
IH ， CMOS
V
REF
– 0.5
V
REF
+ 0.2
– 0.3
–
V
REF
– 0.2
V
REF
+ 0.5
0.5
V
CMOS
– 0.25
0.3
–
10
×
号
RDRAMs
1)
10
×
号
RDRAMs
1)
10.0
0.5
V
CMOS
+ 0.25
V
CMOS
+ 0.7
V
OL ， CMOS
CMOS输出低电压@
I
OL ， CMOS
= 1毫安
V
OH ， CMOS
CMOS输出高电压@
I
OH ， CMOS
= - 0.25毫安
I
REF
I
SCK ， CMD
I
SIN ， SOUT
V
REF
目前@
V
REF ，最大
CMOS输入漏电流@
(0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
CMOS输入漏电流@
(0
≤
V
CMOS
≤
V
DD
)
V
CMOS
– 0.3
– 10
×
号
RDRAMs
1)
– 10
×
号
RDRAMs
1)
– 10.0
1)
下表显示的RDRAM器件中所含的列出的RIMM模块数
存储器的存储容量。
RIMM模块容量
144兆位RDRAM的设备数量
64/72 MB
4
一百四十四分之一百二十八MB 288分之256 MB
8
16
在网络连接霓虹灯技术
9
7.00
