W83301R
初步
7.Functional说明
7.1模式选择
该W83301R支持两种模式为客户的多应用，如图所示为
表1 ，模式A和模式B可以通过VSET0引脚选择。如果此引脚连接到5V，
该芯片将在模式A进行操作，否则芯片将B模式下，当操作
VSET0连接到地面。
这两种模式A和B支持线性开关产生一个符合ACPI标准的5V
DL
从ATX电源的5V / + 5V电压
SB
根据S5 ＃和S3 ＃信号。和用户
也可以关闭整个5V
DL
在通过5V S5状态输出
DLEN
＃引脚如果需要的话。
根据该模式下的操作，该芯片提供了一个线性控制器STR1的驱动
N沟道MOSFET Q 3 （参照图），以产生一个调节的电压2.5V
双
从
外部电源3.3V
双
中， 2.5伏
双
是为RDRAM / DDRAM ACPI
挂起到RAM应用。并且为了简单的电路设计，并减少
客户的成本，该W83301R还集成了一个总线终端BT控制器驱动两个
外部N沟道MOSFET （ Q4 ， Q5 ）来生成一个特定的ACPI兼容电压
根据STR1输出的采购半，沉总线冗余电流。
在模式B中的操作，该芯片提供了三个线性控制器，即STR1-
2.5V
双
， STR2- 3.3 V
双
和STR3- 1.8V
双
中，所有的三个输出端的驱动的N-
沟道MOSFET （ Q3 ， Q4 ， Q5和），以产生一个符合ACPI的电压不同
应用程序。如STR1- 2.5V
双
时钟发生器的应用， STR2- 3.3 V
双
对于SDRAM的应用程序， STR3- 1.8V
双
芯片组的应用。
此外，如表1中所示的W83301R还提供一种三态端子vset1替换偏压
一个额外的电压高达0.2V的每个输出更高的性能，但在模式A
操作中，对BT的输出电压将根据STR1输出的一半通过设置产生
VSET1.
表1中。
W83301R控制表
模式VSET0
0V
A
0V
0V
模式VSET0
5V
B
5V
5V
VSET1
0V
NC
5V
VSET1
5V
NC
0V
STR1
2.5V
双
2.6V
双
2.7V
双
STR1
2.5V
双
2.6V
双
2.7V
双
总线终端控制器
1.25V
双
1.30V
双
1.35V
双
STR2
3.3V
双
3.4V
双
3.5V
双
STR3
1.8V
双
1.8V
双
1.8V
双
备注
-STR1输出RDRAM / DDRAM电压
- 总线端子控制器的内存总线
多余的电流吸收和采购。
备注
-STR1输出时钟将军电压
-STR2输出电压SDRAM
-STR3输出电压芯片组
机密
修订版0.6
7
