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3SK319
硅N沟道双栅MOS FET
超高频射频放大器
ADE-208-602(Z)
1日。版
1998年2月
特点
低噪音的特点;
（ NF = 1.4 dB典型值，在f = 900兆赫）
优秀的交叉调制特性
能低电压工作; + B = 5V
概要
MPAK-4
2
3
1
4
1.源
2. GATE1
3. GATE2
4.漏
注：标记为“ YB- ” 。
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