半导体
技术参数
低频功率放大器，转换器
电子调速器应用
KTC3531T
外延平面NPN晶体管
E
特点
低饱和电压
: V
CE （ SAT ）
= 0.3V （最大） ，在我
C
=0.5A.
补充KTA1531T 。
A
F
G
K
B
暗淡
A
B
2
3
C
D
MILLIMETERS
_
2.9 + 0.2
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
D
1
E
F
G
H
I
J
K
L
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
等级
30
20
5
1
0.9
150
-55
)
150
单位
V
V
V
A
W
L
G
H
J
J
1.发射器
2.基
3.收集
*封装安装在陶瓷基板（600
记号
h
FE
秩
型号名称
LOT号
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
分类
Y:120 240,
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
GR （G ） ： 200 400
测试条件
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=50mA
V
CE
= 2V ，我
C
=1A(Pulse)
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
分钟。
-
-
120
30
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
0.1
0.85
180
15
马克斯。
0.1
0.1
400
-
0.3
1.2
-
-
V
V
兆赫
pF
单位
A
A
2001. 6. 23
版本号： 0
I
TSM
HA
1/2
