* VDD / VDDQ = 2.8V *
K4D26323RA-GC
1M X 32位×4银行双数据速率同步RAM
用双向数据选通和DLL
特点
2.8V ±5％电源设备操作电源
用于I / O接口2.8V ±5 ％电源
SSTL_2兼容输入/输出
4银行操作
MRS循环地址重点项目
- 。读取延迟3,4 （时钟）
- 。突发长度（ 2 ， 4 ， 8和全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
全页突发长度为顺序突发类型只
全页突发的起始地址应该是偶数
除了数据& DM所有输入进行采样，正
将系统时钟的边沿
差分时钟输入
无Wrtie -打断读取功能
4 DQS的（ 1DQS /字节）
128M DDR SDRAM
数据I /数据选通信号的两边O事务
DLL对齐DQ和DQS转换与时钟转换
边沿对齐的数据&数据选通输出
中心对齐数据&数据选通输入
DM只写屏蔽
自动&自我刷新
32ms的刷新周期（ 4K周期）
144球FBGA
最大时钟频率高达350MHz的
最大数据传输率可达700Mbps /针
订购信息
产品型号
K4D26323RA-GC2A
K4D26323RA-GC33
K4D26323RA-GC36
最大频率。
350MHz
300MHz
275MHz
最大数据速率
700Mbps/pin
600Mbps/pin
550Mbps/pin
SSTL_2
(VDD/VDDQ=2.8V)
144球FBGA
接口
包
概述
FOR 1M X 32位×4银行DDR SDRAM
该K4D26323RA是134217728位超同步数据速率动态随机存储器划分为4 x1,048,576用字
32位，制造与三星
’
s高性能CMOS技术。有数据选通同步功能可让
极高的性能高达2.8GB / S /芯片。 I / O事务处理可在时钟周期的两端。范围
的工作频率，可编程脉冲串长度和可编程延迟允许该设备可用于各种有用
高性能存储系统的应用程序。
- 4 -
2.0版本（ 2003年1月）
