IDTQS32384
高速CMOS 10位总线开关
工业温度范围
电源特性
符号
I
CCQ
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每个控制输入高功率电源电流
(2)
每MHz的动态电源电流
(3)
测试条件
(1)
V
CC
=最大，V
IN
= GND或V
CC
, f = 0
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ， F = 0
V
CC
=最大值， A和B引脚开路，控制输入切换@ 50 ％占空比
马克斯。
1.5
2.5
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，在使用直流电气特性规定了相应的值。
2.每TTL驱动的输入端（V
IN
= 3.4V ，只控制输入） 。 A，B ， C和D端子没有贡献
ΔIcc 。
3.该电流仅适用于控制输入和表示在特定的频率进行切换内部电容所需的电流。 A和B投入不产生显著
交流或直流电流，因为他们过渡。此参数是保证，但未经生产测试。
开关特性在工作范围
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 5V ± 5%
C
负载
= 50pF的，R
负载
= 500Ω ，除非另有说明。
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
参数
数据传输延迟
(2)
斧头BX， Bx的斧
开关导通延迟
BEA ， BEB
以斧，BX
开关关断延迟
(2)
BEA ， BEB
以斧，BX
民
.
(1)
1.5
1.5
典型值。
马克斯。
1.25
(3)
7.5
5.5
单位
ns
ns
ns
注意事项：
1.最低金额的保证，但未经生产测试。
2.此参数是保证，但未经生产测试。
3.总线开关有助于无传播延迟大于所述开关的导通电阻和负载电容的RC延迟等。时间常数为单独的开关
为1.25ns在C中的顺序
L
= 50pF的。由于该时间常数比上升小得多和下降的典型的驱动信号时，它增加了非常小的传播延迟的
系统。根据总线开关的传播延迟，在一个系统中使用时，是通过在开关的驱动侧的驱动电路及其与负载相互作用所决定
从动侧。
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