6.在TR5 ，负载0到Ext字段（位19） ，所需要的值插入集
状态字段（位18-17 ）（只回写模式），则所需的索引进
索引字段（位10-4 ） ，所需的条目值到输入字段
（ 3-2位） ，以及01到控制字段（位1-0 ） 。加载值
到TR5触发缓存写入。在写模式，设置状态
字段被忽略，并且在TR4的有效位（位10）来代替，以
定义了指定集合的状态。
实施例3：
冲洗
缓存
高速缓存清理机制，功能相同的方式无论是在写回
直写式模式。装载11到TR5的控制字段（位1-0 ） 。所有
其他字段将被忽略，除了内线的回写模式。缓存
冲洗是通过加载值到TR5触发。所有的LRU位，有效
位，并设置状态位被清零。
AMD BIOS开发指南
测试寄存器4和5
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