半导体
2N5401
PNP硅晶体管
描述
通用扩增fi er
高电压应用
特点
高集电极击穿电压： V
CBO
= -160V, V
首席执行官
= -150V
低集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
=-0.5V(MAX.)
互补配对2N5551
订购信息
型号
2N5401
记号
2N5401
封装代码
TO-92
外形尺寸
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
单位：
mm
4.5±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
14.0±0.40
1.27 （典型值）
.
2.54 TYP
.
1 2 3
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
1.20±0.1
0.38
KST-9040-000
1
