飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
120
V
I
E
= 0; V
CB
=
120
V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
=
4
V
I
C
=
1
毫安; V
CE
=
5
V ;见图2
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ;见图2
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
5
V ;见图2
V
CESAT
C
c
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
mA
集电极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 2 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
50
60
50
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
200
2N5401
单位
K / W
马克斯。
50
50
50
240
200
500
6
300
8
单位
nA
A
nA
mV
mV
pF
兆赫
pF
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的100
1999年4月08
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