LAB
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
V
（ BR ） CEO *
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CEX
V
CE （ SAT ）
V
BE （SAT） *
集电极 - 发射极击穿电压I
C
= 1毫安
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
I
C
= 10A
I
E
= 10A
V
CE
= 30V
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
V
EB
= 3V
I
B
= 1毫安
I
B
= 5毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 5毫安
I
C
= 0.1毫安
I
C
= 1毫安
h
FE *
直流电流增益
V
CE
= 1V
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
*脉冲测试：吨
p
≤
300s,
δ ≤
2%.
40
70
100
60
30
300
—
0.65
SEME
2N3904CSM
分钟。
40
60
6
典型值。
MAX 。 UNIT
V
50
0.2
0.3
0.85
0.95
nA
V
V
小信号特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
分钟。
f
t
C
ob
C
ib
h
ie
h
oe
h
re
h
fe
N
F
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
输出导纳
电压反馈比例
小信号电流增益
噪声系数
V
CE
= 20V
F = 100MHz的
V
CB
= 5V
F = 1MHz的
V
BE
= 0.5V
F = 1MHz的
V
CE
= 10V
I
C
= 1毫安
F = 1kHz时
V
CE
= 5V
F = 1kHz时
I
C
= 100A
R
S
= 1k
1
1
0.5
100
I
C
= 0
I
E
= 0
I
C
= 10毫安
300
典型值。
MAX 。 UNIT
兆赫
4
8
10
40
8
400
5
pF
pF
k
μhmos
x 10
-4
—
dB
开关特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 3V
I
C
= 10毫安
V
CC
= 3V
V
BE
= 0.5V
I
B1
= 1毫安
V
BE
= 0.5V
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
35
35
200
50
ns
I
B1
= I
B2
= 1毫安
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 4/95
