VP2206
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
5
1.1
4
导通电阻与漏电流
V
GS
= -5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
3
1.0
2
V
GS
= -10V
1
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-2
-4
-6
-8
-10
T
j
(°C)
传输特性
-10
1.2
I
D
（安培）
V
（ TH ）
和R
DS
随温度的变化
2.0
V
DS
= -25V
-8
R
DS （ ON）
@ -10V ， -3.5A
T
A
= -55
°C
1.1
1.6
-6
25°C
1.0
1.2
-4
125°C
0.9
0.8
V
（ TH ）
@ -1mA
0.8
0.4
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.7
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
400
-10
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
C
国际空间站
300
-8
V
DS
= -10V
C（皮法）
V
GS
（伏）
-6
V
DS
=
-40V
725 pF的
200
-4
C
OSS
100
-2
C
RSS
0
0
-10
-20
-30
-40
0
0
310 pF的
2
4
6
8
10
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
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4
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R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
I
D
（安培）
