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数据表
MOS集成电路
MC-4R128FKE8S
直接Rambus DRAM SO- RIMM
TM
模块
128M字节（ 64M -字×18位）
描述
直接Rambus的SO- RIMM模块是一个通用的高性能内存模组合适的子系统
对于在范围广泛的应用中使用，包括计算机存储器，移动个人计算机，网络
系统和其它应用中的高带宽和低延迟是必需的。
MC- 4R128FKE8S模块包括四个288M直接总线DRAM （直接RDRAM）设备（
PD488588).
这些是非常受18位组织为16M字的高速CMOS的DRAM 。采用RAMBUS信号的
级（ RSL）技术允许同时使用传统的系统和电路板设计的800MHz的传输速率
技术。
直接RDRAM设备能够持续数据传输，每两个字节（每个16字节10纳秒）1.25纳秒。
直接RDRAM的架构可实现最高的持续带宽为多，同时，
随机寻址的存储器事务。独立的控制和数据总线具有独立的行和列
控制产量高总线效率。直接RDRAM的多银行架构，最多支持四个同步
每台设备的交易。
特点
160边缘连接器垫与0.65毫米焊盘间距
128 MB直接RDRAM存储
每个RDRAM
有32个银行， 128银行总模块
镀金触点
RDRAMs采用芯片级封装（ CSP ）
串行存在检测支持
采用2.5 V电源供电
掉电自刷新模式
单独的行和列客车提高效率
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
一号文件E0139N30 （ 3.0版）
发布日期2002年6月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
尔必达存储器股份有限公司。 2001-2002
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
