ADG508F/ADG509F/ADG528F–SPECIFICATIONS
1
双电源
(V
DD
=
+15 V
10%, V
SS
= –15 V
的10％ ，GND = 0V，除非另有说明）
T版
-55 ℃
+25 C +125 C
V
SS
+ 3
V
DD
– 1.5
400
450
0.6
5
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
B版本
-40 ℃
+25 C +85 C
V
SS
+ 3
V
DD
– 1.5
350
400
单位
V分钟
V最大
典型值
测试条件/评论
300
300
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
漏电流
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
ADG508F/ADG528F
ADG509F
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
ADG508F/ADG528F
ADG509F
故障
输出漏电流
（具有过压）
输入漏电流
（具有过压）
输入漏电流
（带电源OFF）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
过渡
t
开放
t
ON
（ EN ，
WR ）
t
关闭
（ EN ，
RS）
t
SETT
，稳定时间
0.1%
0.01%
ADG528F只有
t
W
，写脉宽
t
S
，地址，启用设置时间
t
H
，地址，使能保持时间
t
RS
，复位脉冲宽度
电荷注入
关断隔离
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
ADG508F/ADG528F
ADG509F
电源要求
I
DD
I
SS
0.6
5
±
0.02
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
50
±
60
±
30
±
60
±
30
-10 V < V
S
< +10 V，I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V
±
10%, V
SS
= –15 V
±
10%
最大
-10 V < V
S
< +10 V，I
S
= 1毫安;
V
DD
= +15 V
±
5%, V
SS
= –15 V
±
5%
％/℃典型值V
S
= 0 V，I
S
= 1毫安
％最大
V
S
= 0 V，I
S
= 1毫安
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路2
V
D
=
±
10 V, V
S
=
测试电路3
V
S
= V
D
=
±
10 V;
测试电路4
V
S
=
±
33 V, V
D
= 0 V ，测试电路3
V
S
=
±
25 V, V
D
=
10 V ，测试电路5
10 V;
10 V;
±
0.02
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.04
±
1
±
1
±
0.02
±
2
±
0.005
±
2
±
0.001
±
2
±
50
±
200
±
100
±
200
±
100
±
0.02
±
2
±
2
±
0.005
±
2
±
0.001
±
2
2.4
0.8
±
1
5
200
300
50
25
200
250
200
250
V
S
=
±
25 V, V
D
= V
EN
= A 0 ，A 1， A 2 = 0V
测试电路6
2.4
0.8
±
1
5
200
300
50
25
200
250
200
250
V分钟
V最大
A
最大
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
s
典型值
s
典型值
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
分贝分钟
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
V
IN
= 0或V
DD
400
10
400
400
1
2.5
400
10
400
400
1
2.5
R
L
= 1 MΩ ，C
L
= 35 pF的;
V
S1
=
±
10 V, V
S8
= 10 V ;测试电路7
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路8
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路9
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 5V;测试电路9
R
L
= 1千欧，C
L
= 35 pF的;
V
S
= +5 V
100
120
100
10
100
100
200
100
10
100
4
68
50
5
50
25
0.1
0.1
0.2
0.1
4
68
50
5
50
25
0.1
0.1
0.2
0.1
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1 nF的;测试电路12
R
L
= 1千欧，C
L
= 15 PF， F = 100千赫;
V
S
= 7 V均方根值;测试电路13
最大mA
最大mA
V
IN
= 0 V或5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C ; T版： -55 ° C至+ 125°C 。
2
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
版本C
