4兆位SmartVoltage BOOT块系列
E
TBE-120
2.7V–3.6V
(9)
50 pF的
民
120
0.8
0
最大
TBV-80
3.3 ±0.3V
(9)
50 pF的
民
110
0.8
0
200
200
90
70
90
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
200
200
最大
TBV-80
TBE-120
5V±10%
(10)
100 pF的
民
80
0.45
0
100
100
60
60
60
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
最大
ns
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
ns
ns
ns
单位
200
200
90
表22. AC特点： CE ＃ -Controlled写操作
(1,11)
（扩展温度）
PROD
符号
参数
V
CC
负载
笔记
t
AVAV
t
PHEL
t
WLEL
t
PHHEH
t
VPEH
t
AVEH
t
DVEH
t
ELEH
t
EHDX
t
EHAX
t
EHWH
t
EHEL
t
EHQV1
t
EHQV2
t
EHQV3
t
EHQV4
t
QVVL
t
QVPH
t
PHBR
写周期时间
RP ＃高价回收到CE＃
走出低
WE＃安装程序CE＃走向低
引导块锁安装到CE＃
去高
V
PP
安装程序CE＃变高
地址设置到CE＃去
高
数据建立到CE＃变高
CE＃脉冲宽度
数据保持时间从CE＃高
从CE＃地址保持时间
高
WE＃保持时间从CE＃高
CE＃脉冲宽高
字/字节编程时间
擦除时间（引导）
擦除时间（参数）
擦除时间（主）
V
PP
从有效SRD举行
RP ＃ V
HH
从有效SRD举行
引导块锁定延迟
2,5
2,5,6
2,5
2,5
5,8
6,8
7,8
4
3
3
4
6,8
5,8
70
90
0
0
0
20
6
0.3
0.3
0.6
0
0
注意事项：
看到WE＃控制的写操作的注意事项1到10 。
11.芯片使能控制写：写操作都通过CE＃有效组合驱动和WE ＃在系统中CE ＃
定义了写脉冲宽度（长WE＃定时波形内），都设置，保持和非活性WE＃倍应
测得的相对于所述的CE ＃波形。
54
初步
