位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第399页 > ST72P262G1B6 > ST72P262G1B6 PDF资料 > ST72P262G1B6 PDF资料1第155页

ST72260G , ST72262G , ST72264G
图111超薄细间距球栅阵列封装
暗淡
A
A2
b
D
D1
E
E1
e
f
ddd
mm
民
典型值
最大最小
英寸
典型值
最大
1.210
1.120
1.700 0.048
0.011
0.044
0.067
A1
0.270
0.450 0.500 0.550 0.018 0.020 0.022
5.750 6.000 6.150 0.226 0.236 0.242
4.000
4.000
0.157
0.157
5.750 6.000 6.150 0.226 0.236 0.242
0.720 0.800 0.880 0.028 0.031 0.035
0.850 1.000 1.150 0.033 0.039 0.045
0.120
0.005
14.2热特性
符号
评级
封装热阻(结到环境)
SDIP32
SO28
LFBGA 6×6 (对多层PCB)
LFBGA 6×6 (在单层PCB)
功耗
1)
最高结温
2)
价值
60
75
56
72
500
150
单位
R
thJA
° C / W
P
D
T
JMAX
mW
°C
注意事项:
1.功耗是从公式P获得
D
=P
INT
+P
PORT
其中,P
INT
是芯片内部电源(I
DD
xV
DD
)
和P
PORT
是由用户确定的端口的功率耗散。
2.平均芯片结温度可以从公式T获得
J
= T
A
+ P
D
X RthJA 。
155/171