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WS57C128FB
高速16K
x
8 CMOS EPROM
主要特点
非常快的访问时间
= 35 ns的
标准EPROM引脚
DIP和表面贴装包装
可用的
低功耗
EPI处理
- 闭锁抗扰度高达200 mA的
概述
该WS57C128FB是一个高性能128K紫外线可擦除电可编程只读存储器。这是
采用先进的CMOS技术，这使得它在双极运行速度，而功耗制造
只有90毫安。
在WS57C128FB的两个主要特点是它的低功耗和高速。这些特性使其成为理想的
溶液应用于需要快速的存取时间，功耗低，并且非挥发性。典型的应用包括
不利用海量存储设备和/或系统的电路板空间有限。
该WS57C128FB配置在标准EPROM引脚排列，提供了系统的一个简单的升级路径
这是目前使用标准的EPROM 。在EPROM中有两个600英里DIP封装，这两种
J-引线和无引线表面贴装封装。
模式选择
引脚
模式
读
产量
关闭
待机
节目
节目
VERIFY
节目
抑制
PGM
X
X
X
VIL
VIH
X
CE
VIL
X
VIH
VIL
VIL
VIH
OE
VIL
VIH
X
VIH
VIL
X
VPP
VCC
VCC
VCC
VPP
VPP
VPP
VCC产出
引脚配置
顶视图
芯片载体
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
高Z
高Z
DIN
DOUT
高Z
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
A
7
A
12
V
PP
NC
V
CC
PGM
A
13
CERDIP
V
PP
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
PGM
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
VCC
DOUT
X可以为VIL或VIH 。
4 3 2
32 31 30
1
5
29
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
O
1
O
2
GND
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
O
7
O
6
NC
3
O
4
O
5
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
芯片选择时间（最大值）
输出使能时间（最大值）
WS57C128FB-35
35纳秒
35纳秒
20纳秒
WS57C128FB-45
45纳秒
45纳秒
25纳秒
WS57C128FB-55
55纳秒
55纳秒
25纳秒
WS57C128FB-70
70纳秒
70纳秒
25纳秒
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