AD5251/AD5252
操作概述
在AD5251 / AD5252是双通道数字电位计
在1千欧， 10千欧， 50 kΩ或100 kΩ的，让64和256线
耐步调整。在AD5251 / AD5252聘用
双栅CMOS EEPROM工艺，使阻力
设置和用户定义的数据被存储在EEMEM
寄存器。在EEMEM是非易失性的，这样的设置保持
当电源被移除。该RDAC游标设置恢复
从在设备加电时，非易失性存储器设置
并且，也可以在操作过程中的任何时间恢复。
在AD5251 / AD5252的电阻滑动端位置确定
由RDAC寄存器的内容。该RDAC寄存器的作用就像一个
暂存寄存器，允许无限制的变化性
设置。 RDAC寄存器的内容可以用改变
设备的串行I
2
C接口。的数据字的格式和
的命令进行编程的寄存器中所讨论的RDAC
在I2C接口的详细描述部分。
四RDAC寄存器具有相应EEMEM记忆
提供电阻器刮水的非易失性存储位置
位置设置。的AD5251 / AD5252提供的命令来
所述的RDAC寄存器内容存储到各自的EEMEM
存储器位置。在随后的上电序列，在
RDAC寄存器被自动加载与存储的值。
每当启用EEMEM写操作时，该装置
激活内部电荷泵，并引发EEMEM细胞
栅极偏置电压到一个较高的水平，基本上消除电流
在EEMEM寄存器的内容，并允许随后stor-
龄的新内容。将数据保存到一个EEMEM寄存器可
sumes约35毫安电流，持续约26毫秒。因为
电荷泵操作，所有RDAC渠道可能会遇到
在EEMEM写入操作期间噪声耦合。
在EEMEM恢复时间在上电或在操作过程中是
约300微秒。注意，上电EEMEM刷新时间
取决于如何快速V
DD
达到其最终值。其结果，任何
电源电压去耦电容限制EEMEM恢复
在上电时间。图32示出了加电信息
其中，V
DD
，没有连接到任何的去耦电容，
被施加了数字信号。该装置最初重置
到达其最终值前测RDACs中间电平
在EEMEM恢复。
此外，用户应立即发出NOP命令0
使用命令1至EEMEM设置恢复后
RDAC ，以减少电源电流消耗。直接读取
从EEMEM用户数据不需要类似的NOP
命令执行。
除了RDAC寄存器之间的数据的移动
和EEMEM内存， AD5251 / AD5252提供其它
这方便了用户的编程快捷命令
需要，如表11所示。
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表11. AD5251 / AD5252快捷命令
条命令
0
1
描述
NOP
恢复EEMEM内容RDAC 。用户应
问题NOP命令后，立即
节省电力。
商店RDAC寄存器设置为EEMEM 。
递减RDAC 6分贝（移动数据位右侧） 。
递减的所有RDACs 6分贝（将所有数据位
右图） 。
递减RDAC一步。
递减的所有RDACs一步。
重置EEMEM内容全部RDACs 。
增量RDAC 6分贝（移动数据位左） 。
增加所有RDACs 6分贝（左将所有数据位） 。
增量的RDAC一个步骤。
增加所有RDACs一步。
版权所有。
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线性递增和递减
COMMANDS
递增和递减命令（ 10 ， 11 ，5和6）
可用于线性步进调节应用。这些命令
通过允许简化微控制器的软件编码
控制器只是一个递增或递减命令发送到
在AD5251 / AD5252 。的调整可被引导到一个
个人RDAC或全部四个RDACs 。
± 6分贝调整（加倍/减半
刷设置）
在AD5251 / AD5252可容纳的± 6分贝调整
通过寄存器的内容转移到RDAC抽头
左/右为递增/递减操作，分别。
命令3 ，4，8 ，和9中可用于增加或
递减6 dB步长的滑动端位置同步或
异步。
递增抽头位置通过6分贝本质
加倍RDAC寄存器的值，同时通过减
-6分贝减半寄存器的内容。在内部，
AD5251 / AD5252采用移位寄存器移位的位数左右
权以实现± 6分贝递增或递减。该
调整的最大数目是9和8的步骤为
从零刻度和递减递增，从满量程，
分别。这些功能是对各种音频/视频有用
电平的调整，尤其是对白色LED的亮度设定
其中，人的视觉反应是比大的更敏感
小的调整。
