飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU2527DF
晶体管
IC
二极管
ICsat
+ 150V，额定
调整ICsat
t
Lc
IB
我B端
t
5我们
6.5我们
美国16
VCE
t
D.U.T.
IBend
LB
CFB
RBE
-VBB
图1 。开关时间波形。
图4 。开关时间测试电路。
ICsat
90 %
IC
VCC
LC
10 %
tf
ts
IB
IBend
t
IBend
VCL
LB
T.U.T.
CFB
-VBB
RBE
t
- IBM
图2 。开关时间的定义。
图5 。测试电路RBSOA 。 V
CC
= 140 V; -V
BB
= 4 V;
L
C
= 100 - 200
H; V
CL
≤
1500 V ; L
B
= 3
H;
C
FB
= 1 - 2.2 nF的;我
B
（完） = 1 - 2 A
I
F
I
的hFE
BU2525DF
TJ = 25℃
TJ = 125℃
F
100
5V
10%
吨FR
V
F
时间
10
1V
5V
V
F
时间
V
fr
1
0.1
1
10
IC / A
100
如图3所示。的反并联二极管V定义
fr
和T
fr
图6 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
1997年9月
3
启1.200
