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SDRAM 64Mb的H-模具（ X32 ）
AC运行试验条件
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
交流输入电平（ VIH / VIL）
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
2.4/0.4
1.4
TR / TF = 1/1
1.4
SEE图。 2
CMOS SDRAM
单位
V
V
ns
V
3.3V
VTT = 1.4V
1200
产量
870
30pF
V
OH
（DC ）= 2.4V时，我
OH
= -2mA
V
OL
（ DC ）= 0.4V时，我
OL
= 2毫安
产量
Z0 = 50
50
30pF
（图1 ）直流输出负载电路
（图2 ） AC输出负载电路
经营AC参数
（交流工作条件，除非另有说明）
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
在过去的数据来行预充电
在新col.address延迟的最后一个数据
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
模式寄存器设置循环时间
有效数
输出数据
符号
t
RRD （分钟）
t
RCD （分钟）
t
RP （分钟）
t
RAS （分钟）
t
RAS （最大）
t
RC
(
民
)
t
RDL （分钟）
t
CDL （分钟）
t
BDL （分钟）
t
的CCD （分钟）
t
刘健（分钟）
CAS延时= 3
CAS延时= 2
11
7
10
7
2
1
1
1
2
2
1
3
3
8
2
2
5
3
3
7
2
2
5
100
10
7
10
7
VERSION
50
55
2
3
3
7
2
2
5
3
3
7
2
2
5
60
70
单位
CLK
CLK
CLK
CLK
us
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
ea
4
1
2
2
2
3
记
1
1
1
1
注意：
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期的时间，然后需要的最短时间来确定
四舍五入到下一个较大整数。请参考下面的NS-单元基于AC表。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
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修订版1.3日。 2004年
