初步信息
频率。例如，一个>20ppm频率偏差
转化为每月>1分钟的精度。
这些参数可从晶体
制造商。 Xicor公司的RTC系列提供片上晶振
补偿网络来调节负载电容
从116 ppm至-37 ppm的调谐振荡器频率
采用12.5 pF负载时的晶体。欲了解更多详细信息
信息，请参阅该应用程序部分。
时钟/控制寄存器（ CCR ）
控制/时钟寄存器位于一个区域
从EEPROM阵列分开，并且仅
访问下面的“ 1101111x ”和奴隶字节
读取或写入地址[ 0000H ： 003FH ] 。该
时钟/控制内存映射具有内存地址
从0000H到003FH 。去定义网络地址
在表1中写入和读取中所述
在理解过程把科幻斯内德地址不推荐使用。
CCR访问
在CCR的内容可以是作案网络版由perform-
荷兰国际集团直接一个字节或页写操作的任何
解决的CCR 。先于写入CCR的
（除状态寄存器） ，然而， WEL和
RWEL位必须使用两步骤过程来设置（见
部分“写入时钟/控制寄存器”）。
在CCR分为5个部分。这些都是：
1.
2.
3.
4.
5.
警报0（8个字节;非易失性的）
报警1（8个字节;非易失性的）
控制（4字节;非易失性的）
实时时钟（ 8个字节;挥发性）
状态（ 1字节;挥发性）
X1288
每个寄存器被读出，并通过缓冲器写入。该
非易失性部分（或RTC的计数器部分）是
只有更新，如果RWEL设置，只有经过一次有效的写
运行和停止位。顺序读取或写入页
操作提供了访问的仅一个的内容
每个操作CCR的部分。访问另一节
化，需要新的操作。持续读取或写入，
一旦达到节结束时，将返回到
该部分的开始。读或写可以开始在任何
解决的CCR 。
它没有必要事先设定RWEL位写入
状态寄存器。部分5支持的单个字节
读或只写。持续读取或写入该
部终止该操作。
CCR中的状态，可以通过执行一个随机读
DOM读取的CCR在任何时间的任何地址。这
返回寄存器单元的内容。额外
tional寄存器被执行连续读
读取。读出指令锁存所有时钟寄存器
到缓冲器，时钟，以便更新不
改变时间被读出。的顺序读取
CCR不会导致数据从MEM-输出
储器阵列。在读结束时，主供给
停止条件结束操作并释放总线。
之后， CCR的读，地址保持在
以前的地址1 ，使用户可以执行一个电流
地址读出的CCR和继续阅读
下一个寄存器。
表1.时钟/控制存储器映射
位
地址。
003F
0037
0036
0035
0034
0033
0032
0031
0030
0013
0012
0011
0010
控制
（EEPROM）中
TYPE
状态
RTC
（ SRAM）的
REG
名字
SR
SSEC
DW
YR
MO
DT
HR
MN
SC
DTR
ATR
INT
BL
0
7
BAT
SS23
0
Y23
0
0
米尔
0
0
0
0
IM
BP2
6
AL1
SS22
0
Y22
0
0
0
M22
S22
0
0
AL1E
BP1
5
AL0
SS21
0
Y21
0
D21
H21
M21
S21
0
ATR5
AL0E
BP0
4
0
SS20
0
Y20
G20
D20
H20
M20
S20
0
ATR4
FO1
WD1
3
0
SS13
0
Y13
G13
D13
H13
M13
S13
0
ATR3
FO0
WD0
2
RWEL
SS12
DY2
Y12
G12
D12
H12
M12
S12
1
WEL
SS11
DY1
Y11
G11
D11
H11
M11
S11
（可选）
范围
0-99
0-6
0-99
1-12
1-31
0-23
0-59
0-59
RTCF
SS10
DY0
Y10
G10
D10
H10
M10
S10
01h
XXH
XXH
XXH
XXH
XXH
XXH
XXH
XXH
00h
00h
00h
18h
12 31
DTR2
DTR1
DTR0
ATR2
ATR1
ATR0
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REV 1.1.30 04年3月24日
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