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MB84VD2228XEA/EE/2229XEA/EE
-90
s
擦除和编程性能
（ FLASH ）
范围
参数
分钟。
扇区擦除时间
字节编程时间
字编程时间
芯片编程时间
擦除/编程周期
—
—
—
—
100,000
典型值。
1
8
16
—
—
马克斯。
10
300
360
100
—
s
s
s
s
周期
不包括编程时间
对擦除之前
不包括系统级
架空
不包括系统级
架空
不包括系统级
架空
单位
评论
s
数据保持特性
（ SRAM）的
参数
符号
V
DH
I
DDS2
t
CDR
t
R
参数说明
数据保持电源电压
待机电流
芯片取消到数据保留模式时间
恢复时间
V
DH
= 3.0 V
分钟。
1.5
—
0
t
RC
典型值。
—
待定
—
—
马克斯。
3.3
待定
—
—
单位
V
A
ns
ns
注：t
RC
：读周期时间
CE1S控制的数据保留模式（注1 ）
V
CC
s
数据保持方式
2.7 V
见注2
V
IH
V
DH
CE1s
V
CCS
–0.2 V
t
CDR
见注2
t
R
GND
59
