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AAT3215
150毫安CMOS高性能LDO
应用信息
V
OUT
= 2.5伏特
I
OUT
= 150毫安
I
GND
= 150uA
V
IN （MAX）
= （ 211mW + （ 2.5Vx150mA ） ） / （ 150毫安+ 150uA ）
V
IN （MAX）
= 3.90V
更高的输入输出电压差可以
与AAT3215获得，同时保持
热安全工作范围内的设备功能
区。为了实现这一点，该装置的热
电阻必须通过增加热量，可减少
下沉区域或通过操作LDO稳压器在
值班循环模式。
例如，一个应用程序需要V
IN
= 4.2V
而V
OUT
= 2.5V在负载150毫安和T
A
= 85°C.
V
IN
大于3.90V ，这是最大
安全连续输入电平为V
OUT
= 2.5V时
150毫安对于T
A
= 85°C 。为了维持这种高投入
电压和输出电流的电平，LDO调节器
必须在一个占空比循环模式进行操作。请参阅
下面的计算占空比工作：
P
D（最大）
被假设为211mW
I
GND
= 150A
I
OUT
= 150毫安
V
IN
= 4.2伏
V
OUT
= 2.5伏
%DC=100(P
D（最大）
/((V
IN
-V
OUT
)I
OUT
+(V
IN
xI
GND
))
%DC=100(211mW/((4.2V-2.5V)150mA+(4.2Vx150A))
％ DC = 85.54 ％
对于一个150mA的输出电流和2.7volt降
横跨AAT3215在环境温度
85 ℃下，在时间的占空比的最大值
设备将是85.54 ％ 。
曲线的下面显示家庭安全能操作
上班阿婷面积从环境循环操作
室温至最高工作水平。
3.5
器件的占空比与V
降
V
OUT
= 2.5V @ 25℃
3.5
电压降（V）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200mA
占空比（ ％ ）
器件的占空比与V
降
V
OUT
= 2.5V @ 50℃
3.5
电压降（V）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
200mA
150mA
占空比（ ％ ）
器件的占空比与V
降
V
OUT
= 2.5V @ 85℃
电压降（V）的
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
100mA
200mA
150mA
90
100
占空比（ ％ ）
3215.2002.03.0.91
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