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离子。焊割。
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散热片
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冰：
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S
IMI
EL
元
N
三菱P沟道功率MOSFET
FX50SMJ-03
高速开关使用
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
100
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
(m)
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= –4V
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
–10
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
TC = 25°C
脉冲测试
–8
80
–6
60
–4
I
D
= –100A
40
–10V
–2
–50A
–25A
20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
–10
0
–2 –3
–5 –7
–10
1
–2 –3
–5 –7
–10
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
传输特性
（典型值）
–100
漏电流I
D
(A)
TC = 25°C
V
DS
= –10V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
10
2
V
DS
= –10V
7
脉冲测试
5
4
75°C 125°C
3
T
C
= 25°C
2
–60
正向传递
导纳
y
fs
(S)
–80
10
1
7
5
4
3
2
–40
–20
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
10
0 0
–10
–2 –3
–5 –7
–10
1
–2 –3 –5 –7
–10
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
10
4
7
5
4
3
2
西塞
开关特性
（典型值）
10
3
TCH = 25°C
7
V
GS
= –10V
5 V
DD
= –15V
4 R
根
= R
GS
= 50
3
2
切换时间（纳秒）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
t
D（关闭）
10
3
7
5
4
3
2总胆固醇= 25°C
F = 1MH
Z
V
GS
= 0V
–3
–5 –7
–10
0
–2 –3
–5 –7
–10
1
–2 –3
科斯
CRSS
10
2
7
5
4
3
2
t
f
t
r
t
D（上）
10
2
10
1
–5 –7
–10
0
–2 –3
–5 –7
–10
1
–2 –3
–5
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Jan.1999
