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DC特性
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
描述
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
活跃的跨页读
电流（注1,2 ）
V
CC
主动写电流
（注2,4）
V
CC
待机电流（注2 ）
自动休眠模式
（注2，3， 6）
V
CC
活跃的内页读
电流（注2 ）
输入低电压
输入高电压
电压加速
在ACC编程
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
（注6 ）
V
CC
= 3.0 ± 0.3 V
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
0.85× V
CC
V
CC
–0.4
2.3
2.5
V
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
1兆赫
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
10兆赫
4
40
25
2
OE ＃ = V
IH
OE ＃ = V
IL
10兆赫
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
33兆赫
–0.5
2.0
11.5
11.5
1
2
15
50
民
典型值
最大
±1.0
35
±1.0
50
80
80
5
5
A
20
50
80
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
12.5
0.45
mA
mA
V
V
V
V
V
V
单位
A
A
A
mA
mA
mA
A
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
CC
±0.3
V
V
IH
= V
CC
±
0.3 V;
V
IL
= V
SS
±
0.3 V
I
CC5
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
注意事项：
1.我
CC
目前上市通常小于4毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
。典型的V
CC
为3.0 V.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
马克斯。
3.自动睡眠模式电流依赖于OE ＃的状态。
4. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
5.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
6.未经100％测试。
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Am29PL320D
2003年10月2日
