XC6367/6368
系列
推荐的组件
Tr
： XP161A1355PR （特瑞仕N沟道功率MOSFET ）
由于XP161A1355PR的击穿电压为8V ，照顾
与电源电压。随着输出电压超过6V ，
使用XP161A1265PR用12V的击穿电压。
V
ST
1： XP161A1355PR = 1.2V （最大）
XP161A1265PR = 1.5V （最大）
： 22μH （墨田CR54 ，女
OSC
=300kHz)
47μH （墨田CR75 ，女
OSC
= 100， 180kHz ）
10μH （墨田CR54 ，女
OSC
=500kHz)
： MA2Q735 （肖特基二极管，松下）
： 16V 220μF （铝电解电容器）
： 16V 47μF + 47μF （钽电容，尼吉康MCE ）
L
SD
C
IN
C
L
NPN Tr的类型：
Tr
Rb
Cb
： 2SD1628 （三洋）
： 500Ω （根据负载和Tr的调整的hFE电平）。
： 2200pF （陶瓷类）
设置让C
B
≤
1
÷
（ 2π个R
B
架F
OSC
x 0.7)
4
C，D， F型（软启动外部设置） ：
C
SS
： 0.1μF （陶瓷电容）
R
SS
： 470KΩ （ C， F型） ， 220KΩ （D型）
B，D型（ FB版）
R
FB
：设置这样的R
FB
1
÷
R
FB
2 = V
OUT
- 1 (V
OUT
=设置输出电压） ，
请使用R使用
FB
1 + R
FB
2
≤
2M
C
FB
：设置使得fzfb = 1 ÷ （2×
π
乘C
FB
个R
FB
1）是内
0.1 20kHz的范围内（通常为10kHz ）
关于L，C的必要调整
L
.
例如
V
OUT
= 3.0V
R
FB
1 = 400kΩ ，R
FB
2 = 200kΩ的，C
FB
= 47pF的
如果使用特瑞仕MOSFET ，我们建议使用一个具有栅极保护二极管内置。
R
ds
（上）
R
ds
（上）
栅极保护二极管内置
XP161A1355PR
0.15Ω@V
gs
=1.5V
XP161A1265PR
0.095Ω@V
gs
=2.5V
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