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AD5170
电气特性 - 2.5千欧
V
DD
= 5伏±10%或3伏± 10 %以下,V
A
= +V
DD
, V
B
= 0 V , -40°C <牛逼
A
< + 125 ℃,除非另有说明。
表1中。
参数
符号
条件
直流特性,变阻器模式
电阻微分非线性
2
R- DNL
R
WB
, V
A
- 无连接
2
电阻积分非线性
R- INL
R
WB
, V
A
- 无连接
3
标称电阻容差
R
AB
T
A
= 25°C
电阻温度COEF网络cient
(R
AB
/R
AB
) / ΔT V
AB
= V
DD
,雨刮=无连接
R
WB
(抽头电阻)
R
WB
代码= 0×00 ,V
DD
= 5 V
直流特性 - 电位器分频模式(规格适用于所有的VRS)
微分非线性
4
DNL
积分非线性
4
INL
分压器温度系数( ΔV
W
/V
W
)/T
代码= 0x80的
满量程误差
V
WFSE
CODE = 0xFF的
零刻度误差
V
WZSE
CODE = 0×00
电阻端子
电压范围
5
V
A
,V
B
,V
W
6
电容A,B
C
A
, C
B
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 0x80的
电容W
C
W
F = 1MHz时,测量到GND ,代码= 0x80的
关断电源电流
7
I
A_SD
V
DD
= 5.5 V
共模漏
I
CM
V
A
= V
B
= V
DD
/2
数字输入和输出
输入逻辑高
V
IH
V
DD
= 5 V
输入逻辑低电平
V
IL
V
DD
= 5 V
输入逻辑高
V
IH
V
DD
= 3 V
输入逻辑低电平
V
IL
V
DD
= 3 V
输入电流
I
IL
V
IN
= 0 V或5 V
输入电容
5
C
IL
电源
电源电压范围
V
DD范围
OTP电源电压
V
DD_OTP
T
A
= 25°C
电源电流
I
DD
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
OTP电源电流
I
DD_OTP
V
DD_OTP
= 5.5 V ,T
A
= 25°C
8
功耗
P
DISS
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V, V
DD
= 5 V
电源灵敏度
PSS
V
DD
= 5 V± 10 % ,代码=中间电平
动态特性
9
带宽的-3 dB
BW_2.5K
代码= 0x80的
总谐波失真
THD
W
V
A
= 1 V有效值,V
B
= 0 V , F = 1千赫
V
W
建立时间
t
S
V
A
= 5 V, V
B
= 0 V ,± 1 LSB误差带
电阻的噪声电压密度
e
N_WB
R
WB
= 1.25千欧,R
S
= 0
1
2
–2
–6
–20
典型值
1
±0.1
±0.75
35
160
最大
+2
+6
+55
200
+1.5
+2
0
10
V
DD
单位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
A
nA
V
V
V
V
A
pF
V
V
A
mA
W
%/%
兆赫
%
s
纳伏/赫兹÷
–1.5
–2
–10
0
GND
±0.1
±0.6
15
–2.5
2
45
60
0.01
1
2.4
1
0.8
2.1
0.6
±1
5
2.7
5.25
3.5
100
±0.02
4.8
0.1
1
3.2
30
±0.08
5.5
5.5
6
典型规格代表平均读数在25 ° C和V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差,R- INL ,是在最大电阻和最小电阻抽头之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。
3
V
AB
= V
DD
,雨刮器(V
W
) =无连接。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
±1 LSB DNL最大规格限制,保证单调的工作条件。
5
电阻端子A, B,W对极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证,不受生产测试。
7
测得的A端子。该终端是开路的关断模式。
8
P
DISS
从(我计算
DD
× V
DD
) 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
9
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
版本A |第24 3

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