LTC1709-8/LTC1709-9
应用S我FOR ATIO
设计实例
作为一个设计实例，假设V
IN
= 5V （标称值） ，V
IN
= 5.5V
（最大值） ，V
OUT
= 1.8V ，我
最大
= 20A ，T
A
= 70℃和f = 300kHz的。
电感值的选择依据30％的纹波科幻RST
目前的假设。纹波电流的最高值
出现在最大输入电压。扎FREQSET销
到INTV
CC
引脚为300kHz的操作。最低
电感30 ％的纹波电流为：
L
≥
≥
V
OUT
V
OUT
1
V
IN
f
I
≥
1.35
H
(
1.8 V
1
300kHz的30 ％， 10 A
5.5V
1.8 V
( )
)( )( )
一个1.5μH电感器会产生27 ％的纹波电流。该
峰值电感电流将是最大的直流值加
一半的纹波电流，或11.4A 。最小导通
时间发生在最大V
IN
:
t
ON
(
民
)
=
V
OUT
1.8 V
=
=
1.1
s
V
IN
f
(
5.5V
)(
300kHz
)
第r
SENSE
电阻值可以通过使用计算
最大电流检测电压特定网络阳离子一些
住宿的公差：
R
SENSE
=
50mV
≈
0.004
11.4A
在上行路上， MOSFET的功耗可
很容易估计。使用Siliconix公司Si4420DY例如;
R
DS （ ON）
= 0.013, C
RSS
= 300pF 。在最大输入
电压和T
J
（估计） = 110℃，在高温环境
温度：
1.8 V
10
P
主
=
5.5V
( )
[
1
+
(
0.005
)(
110
°
C
25
°
C
)
]
2
0.013
+
1.7
(
5.5V
) (
10 A
)(
300pF
)
(
300kHz
)
=
0.65W
2
U
由同步disipated最坏情况下的功率
下在升高的正常操作条件下的MOSFET
环境温度和估计的50 ° C的结温
perature崛起是：
5.5V
1.8 V
10 A
P
SYNC
=
5.5V
=
1.29W
W
U
U
( ) (
1.48
)(
0.013
)
2
短路到接地会导致折回电流
约：
25mV
1
200ns的5.5V
I
SC
=
+
0.004
2
1.5
H
( )
=
6.6A
由同步disipated最坏情况下的功率
下短路条件下在升高的雄心MOSFET的
耳鼻喉科温度约50 ° C的结温
崛起是：
5.5V
1.8 V
6.6 A
P
SYNC
=
5.5V
=
564mW
( ) (
1.48
)(
0.013
)
2
这是不到一半的正常的全负载耗散的。
顺便提及，由于负载不再消耗功率的
短路的情况下，系统总功耗是
减少了99 ％ 。
此应用程序的占空比为：
DF
=
V
O
1.8 V
=
=
0.36
V
IN
5V
使用图4中， RMS纹波电流将是：
I
inrms
= (20A)(0.23) = 4.6A
RMS
输入电容器（多个）与4.6A
RMS
纹波电流额定值
是必须的。
输出电容的纹波电流是通过计算
电感的纹波已经计算出每个电感器
并且通过从图3中获得的系数乘以
随着计算出的占空因数。输出纹波在
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