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EDS6416AHBH ， EDS6416CHBH
读命令写命令间隔
1.相同的银行，同一ROW地址：当写命令在同一同一ROW地址执行
银行与前面读命令，写命令不低于1的间隔后进行
时钟。然而， UDQM和LDQM必须设定高，使得输出缓冲器变成高阻抗数据输入之前。
CLK
命令
读WRIT
UDQM
CL=2
LDQM
CL=3
DQ （输入）
在B0
高-Z
在B1
在B2
在B3
DQ （输出）
BL = 4
突发写
读到写命令间隔（ 1 ）
CLK
命令
读
WRIT
UDQM
LDQM
CL=2
OUT
2个时钟
OUT
OUT
OUT
OUT
in
in
in
in
in
in
in
in
DQ
CL=3
读到写命令间隔（ 2 ）
2.同一家银行，不同的行地址：当行地址发生变化，连续写命令不能
执行;有必要用一个预充电命令与一个阵有效分离两个命令
命令。
3.不同的银行：当银行发生变化时，写命令可以不小于1的时间间隔后进行
周期，只要该其他银行是在银行工作状态。然而， UDQM和LDQM必须设置高，
该输出缓冲器变成高阻抗数据输入之前。
数据表E0442E40 （版本4.0 ）
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