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NBLVEP16VR
VR
4.0毫安EA 。
Q
Q
CS_SEL
V
EE
D
D
470
W
V
BB
V
BB_ADJ
OD_MODE
V
BB
1
Q
Q
10毫安EA 。
QHG
QHG
0
V
EEP
EN
LEN Q
LATCH
D
EN_SEL
LVCMOS / LVTTL
门槛
图14.典型应用
压控振荡器，或压控晶体振荡器，是一种
振荡器，其输出频率由控制
晶体和外部控制电压。该VCXO可以有
的输出频率的变化，在电压保持在一个变化
振荡器的控制引脚。大多数，如果不是全部， VCXO的使用
变容二极管来改变频率。变容二极管是一种
它相当于一可变电容器的半导体器件
当将电压施加到其上。因此，当变化中的
控制电压被施加到振荡器的控制销，
它会导致在该电容的改变看到的晶体
内部振荡器。这些变化在电路负载
在振荡器输出频率的电容变化的原因
由于晶体负载。
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