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CY7C1386C
CY7C1387C
真值表
[ 3, 4, 5, 6, 7, 8]
手术
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
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当前
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当前
CE
1
H
X
H
X
X
H
H
X
H
CE
2
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CE
3
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
ADSP
X
H
X
H
H
X
X
H
X
ADSC
H
H
H
H
H
H
H
H
H
ADV
L
L
L
H
H
H
H
H
H
写OE CLK
DQ
H
H L -H三州
L
L
H
H
H
H
L
L
X
X
L
H
L
H
X
X
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
D
D
Q
Q
D
D
L-H三州
L-H三州
注意事项：
3， X = “不在乎。 ”H =逻辑高电平，L =逻辑低电平。
4.写= L时，任何一个或多个字节写使能信号， BWE = L或GW = L WRITE = H时，所有写字节使能信号， BWE ， GW = H。
5. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的，并且不采样的时钟。
6. CE
1
，CE
2
和CE
3
只适用于TQFP封装。 BGA封装只有2片选CE
1
和CE
2
.
7. SRAM总是启动时ADSP是断言一个读周期，无论GW ， BWE ，或BW的状态
X
。写只能在下一时钟发生
在ADSP后或ADSC的说法。其结果是，参考必须的写周期开始，以使输出为三态之前，驱动为高电平。 OE是一个
不喜欢的写周期的剩余部分
8. OE是异步的，并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期中的所有数据位为三态时， OE是
处于非活动状态，或当装置被取消，并且所有的数据位表现为输出时OE为有效（低电平） 。
9.表只列出的字节写入组合的部分列表。 BW的任何组合
X
是有效的，适合的写将在此基础上写字节是活动的进行。
部分真值表进行读/写
[5, 9]
功能（ CY7C1386C ）
读
读
写字节一个 - （ DQ
A
和DQP
A
)
写字节B - （ DQ
B
和DQP
B
)
写字节B，A
写字节 - （ DQ
C
和DQP
C
)
写字节C，A
写字节C，B
写字节C， B，A
写字节D - （ DQ
D
和DQP
D
)
写字节D，A
写字节D，B
写字节D， B，A
写字节D，C
写字节D，C ，A
写字节D， C，B
写的所有字节
写的所有字节
GW
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
BWE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
BW
D
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
BW
C
X
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
X
BW
B
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
X
BW
A
X
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
X
真值表进行读/写
[5]
功能（ CY7C1387C ）
读
读
写字节一个 - （ DQ
A
和DQP
A
)
写字节B - （ DQ
B
和DQP
B
)
写的所有字节
写的所有字节
文件编号： 38-05239牧师* B
GW
H
H
H
H
H
L
BWE
H
L
L
L
L
X
BW
B
X
H
H
L
L
X
BW
A
X
H
L
H
L
X
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