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CY7C1381C
CY7C1383C
时序图
(续)
读/写周期时序
[21, 23, 24]
TCYC
CLK
t
CH
TADS
TADH
t
CL
ADSP
ADSC
TAS
TAH
地址
A1
A2
A3
t
t
WES WEH
A4
A5
A6
BWE , BW
X
传统文化表现形式
tCEH
CE
ADV
OE
TDS
TDH
tOELZ
数据输入(D )
数据输出( Q)
高-Z
t
OEHZ
D(A3)
tCDV
D(A5)
D(A6)
Q(A1)
Q(A2)
单写
不在乎
Q(A4)
Q(A4+1)
Q(A4+2)
Q(A4+3)
后端到回
写到
后端到背面写着
突发读
未定义
注意:
21.在这个图中,当CE为低电平:CE
1
为低电平,CE
2
为HIGH和CE
3
为LOW 。当CE为高电平:CE
1
为高或CE
2
低或CE
3
为高。
22.全宽写可以通过GW LOW启动;或GW HIGH , LOW BWE和BW
X
低。
23.数据总线(Q)保持在高阻抗下一个写周期,除非新的读访问是通过ADSP或ADSC启动。
24. GW高。
当进入ZZ模式25设备必须取消。见周期说明表所有可能的信号条件可以取消选择该设备。
26的DQ在高-Z时, ZZ退出睡眠模式。
文件编号: 38-05238牧师* B
第31页36

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