CY7C138
CY7C139
开关波形
（续）
读时序与端口到端口延迟（M / S = L ）
[19, 20]
t
WC
地址
R
读/写
R
MATCH
t
PWE
t
SD
t
HD
数据
INR
有效
地址
L
MATCH
t
DDD
数据
OUTL
t
WDD
有效
C138-10
写周期第1号： OE三态数据的I / O （任一端口）
[21, 22, 23]
t
WC
地址
t
SCE
SEM或CE
t
AW
读/写
t
SA
DATA IN
t
SD
数据有效
t
HD
t
PWE
t
HA
OE
t
HZOE
数据输出
高阻抗
C138-11
t
LZOE
注意事项：
19. BUSY =高为写端口。
20. CE
L
= CE
R
=低。
存储器21内写入时间由CE或扫描电镜低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，而无论是信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
22.如果OE是低电平期间， R / W控制的写周期，写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或（T
HZWE
+ t
SD
），以允许在I / O驱动器关闭和数据被放置在
总线用于所需吨
SD
。如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期（如在本例中） ，这要求不适用和写脉冲可短至指定
t
PWE
.
23. R / W必须在所有的地址转换为高。
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