ADC12662
AC电气特性
符号
存取时间
（ RD低或OE高到数据有效）
三态控制
参数
（续）
以下规格适用于DV
CC
= AV
CC
= +5V, V
REF + （ SENSE ）
= +4.096V, V
REF- （ SENSE ）
= AGND和f
s
= 1.5 MHz时，
除非另有规定ED 。
黑体字限额适用于对于T
A
= T
J
从T
民
给T
最大
;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= +25C.
条件
典型值
（注7 ）
极限
（注8）
20
40
60
35
5
15
50
50
20
20
1
单位
（限量）
NS （最大值）
NS （最大值）
NS （最大值）
NS （分钟）
NS （最大值）
NS （最大值）
NS （分钟）
NS （分钟）
NS （分钟）
NS （分钟）
s
t
加
t
1H
, t
0H
t
INTH
t
INTL
t
更新
t
MS
t
MH
t
CSS
t
CSH
t
WU
C
L
= 100 pF的
R
L
= 1K ，C
L
= 10 pF的
C
L
= 100 pF的
C
L
= 100 pF的
10
25
35
25
5
（ RD高或OE低到数据总线TRI -STATE ）
从RD低延迟到INT高
从EOC高延迟到INT低
EOC高到新的数据有效
多路复用地址建立时间
（ MUX地址有效到EOC低）
多路复用地址保持时间
（ EOC低到MUX地址无效）
CS建立时间
（ CS低到RD低，S / H低，或OE高）
CS保持时间
（ RD高，S / H高，或OE低后高CS ）
唤醒时间
（ PD高到第一S / H低）
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件，该设备是
功能性。这些评级不保证特定的性能限制，但是。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。
保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下被操作的
列出的测试条件。
注2 ：
所有电压都相对于GND （ GND = AGND = DGND ） ，除非另有说明。
注3 ：
当输入电压（V
IN
）在任何引脚超过电源轨（V
IN
＆ LT ;
GND或V
IN
＆ GT ;
V
CC
）电流在该销的绝对值应限制
至25 mA或更小。该50毫安包输入电流限制引脚，可以安全地超过电源电压为25 mA的输入电流，以2的数量。
注4 ：
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度T
A
。最大
在任何温度下允许功耗为：P
D
= (T
JMAX
T
A
)/θ
JA
还是在绝对最大额定值给出的数字，以较低者为准。
θ
JA
对于V
（ PLCC ）封装为55°C / W 。
θ
JA
为VF （ PQFP ）包是62℃ / W 。在大多数情况下，降额最大功耗将只有在故障达成
条件。
注5 ：
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。机器模型ESD额定值为200V 。
注6 ：
见AN- 450“表面贴装方法及其对产品可靠性的影响”或标题为“表面贴装”在当前国家发现
安森美半导体的线性数据手册焊接面的其他方法安装设备。
注7 ：
标准被定在+ 25°C ，代表最可能的参数指标。
注8 ：
测试的范围，保证国家的AOQL （平均出厂质量水平） 。
注9 ：
积分线性误差是从之间的直线的最大偏差
测
偏移和满量程端点。
注10 ：
做了ADC12662的动态测试是使用ADC IN输入。输入多路复用器增加了谐波失真在高频率下。请参阅图表中
为THD性能的典型曲线VS输入频率，并没有输入多路复用器的典型性能特性部分。
注11 ：
的信号 - 噪声比是信号幅度的背景噪声电平的比率。所述输入信号的谐波不包括在计算中。
注12 ：
从所述第一9次谐波的贡献被用于在所述的THD的计算。
注13 ：
位（ ENOB）的有效数量由下式计算所测量的信号与噪声加使用等式ENOB = （SINAD失真比（ SINAD） -
1.76)/6.02.
注14 ：
数字电源电流花费长达10秒，衰减到它的最终值之后， PD被拉低。这禁止待机生产检测
电流。有些地方可能会出现显著高于待机电流小于50 μA典型。
注15 ：
电源灵敏度被定义为在该偏移误差或满刻度误差的变化，由于在电源电压的变化。
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