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PC133 SDRAM SO DIMM
HYM71V8M635A （L）的T6系列
串行存在检测
字节
数
BYTE0
BYTE1
BYTE2
BYTE3
BYTE4
BYTE5
BYTE6
BYTE7
BYTE8
BYTE9
BYTE10
BYTE11
BYTE12
BYTE13
BYTE14
BYTE15
BYTE16
BYTE17
BYTE18
BYTE19
BYTE20
BYTE21
BYTE22
BYTE23
BYTE24
BYTE25
BYTE26
BYTE27
BYTE28
BYTE29
BYTE30
BYTE31
BYTE32
BYTE33
BYTE34
BYTE35
BYTE36
~61
BYTE62
BYTE63
BYTE64
BYTE65
~71
功能
描述
会写入到模块的串行存储器字节数的
生产厂家
SPD内存设备的总字节＃
基本内存类型
＃排在本届大会地址
＃在这个大会列地址
＃模块银行对本届大会
本届大会的数据宽度
本届大会的数据宽度（续）
本届大会的电压接口标准
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 3
从时钟@访问时间/ CAS延时= 3
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟背靠背随机列
地址
突发Lenth支持
＃银行对每个SDRAM器件
SDRAM的设备属性， / CAS Lataency
SDRAM的设备属性， / CS Lataency
SDRAM的设备属性， / WE Lataency
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性，一般
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 2
从时钟@访问时间/ CAS延时= 2
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 1
从时钟@访问时间/ CAS延时= 1
最小行预充电时间（TRP）
最小行主动向行主动延迟（ TRRD ）
最小/ RAS到/ CAS延迟（ tRCD的）
最小/ RAS脉冲宽度（ tRAS的）
模块库密度
命令和地址信号输入建立时间
命令和地址信号输入保持时间
数据信号输入建立时间
数据信号输入保持时间
超集信息（可能在将来使用）
SPD修订
校验和字节0 62
制造商JEDEC ID代码
.... JEDEC制造商ID代码
1.5ns
0.8ns
1.5ns
0.8ns
-
英特尔SPD 1.2B
-
海力士JEDED ID
未使用
HSI （韩国区）
HSA （美国区）
HSE （欧洲区）
HSJ （日本地区）
亚洲区
6F
ADH
FFH
0*h
1*h
2*h
3*h
4*h
7.5ns
5.4ns
无
15.625us
/自刷新支持
x16
无
TCCD = 1 CLK
1,2,4,8 ，全页
4银行
/ CAS延时= 2,3
/ CS延迟= 0
/ WE延迟= 0
无论是缓冲，也没有注册
+/- 10 ％的电压耐性的，突发读
写一个位，全部预充电，自动
预充电，早期RAS预充电
7.5ns
5.4ns
-
-
15ns
15ns
15ns
45ns
64MB
1.5ns
0.8ns
1.5ns
0.8ns
15h
08h
15h
08h
00h
12h
A6h
3, 8
10ns
6ns
75h
54h
00h
00h
0Fh
0Fh
0Fh
2Dh
10h
15h
08h
15h
08h
功能
-K
128字节
256字节
SDRAM
12
9
1银行
64位
-
LVTTL
7.5ns
5.4ns
75h
54h
00h
80h
10h
00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
0Eh
A0h
60h
00h
00h
14h
0Fh
14h
2Dh
2
价值
-H
-K
80h
08h
04h
0Ch
09h
01h
40h
00h
01h
-H
记
1
75h
54h
-
-
20ns
15ns
20ns
45ns
BYTE72
生产地点
10
修订版1.2 /四月01
6
