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IS61LV51216
写周期开关特性
(1,3)
（以上经营范围）
符号
参数
写周期时间
CE
撰写完
地址建立时间
撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
LB ， UB
有效到结束写入的
WE
脉冲宽度
WE
脉冲宽度（ OE = LOW ）
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高-Z输出
WE
前高后低-Z输出
-8
分钟。马克斯。
8
6.5
6.5
0
0
6.5
6.5
8.0
5
0
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5
—
-10
分钟。马克斯。
10
8
8
0
0
8
8
10
6
0
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
-12
分钟。马克斯。
12
8
8
0
0
8
8
12
6
0
—
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
—
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWB
t
PWE
1
t
PWE
2
t
SD
t
HD
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲0V水平
在图1中规定的3.0V输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
3.内部写入时间由CE低电平和UB或LB的重叠所定义，和WE为低电平。所有信号都必须在有效状态
开始写的，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都引用
到终止写信号的上升沿或下降沿。在发展中阴影区域的产品
8
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本B
03/10/05
