数据表
Am29LV320MT/B
32兆位（2M ×16位/ 4米×8位） MirrorBit
3.0伏只引导扇区闪存
特色鲜明
架构优势
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单电源工作
- 3 V读取，擦除和编程操作
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在0.23微米的MirrorBit工艺制造
技术
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SecSi （安全硅）扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久的，安全的
通过一个8字/ 16字节的随机identi网络阳离子
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可被编程并锁定在工厂或通过
客户
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灵活的部门架构
- 六十三32 K字/ 64 - Kbyte的部门
- 八4千字/ 8 KB的引导扇区
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与JEDEC标准兼容
- 提供的引脚和软件兼容
单电源闪存，以及优越的疏忽
写保护
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每个扇区最低100,000次擦除周期保证
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20年的数据保存在125°C
性能特点
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高性能
- 90 ns访问时间
- 25 ns的页读取时间
- 0.5秒典型扇区擦除时间
- 15 μs的典型有效的写缓冲器字编程
时间： 16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字/字节更新
- 4字/ 8字节读取页面缓冲器
- 16字/ 32字节的写缓冲区
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低功耗（ 3.0 V典型值， 5
兆赫）
- 12 mA典型有效的读电流
- 80 mA典型的擦除/编程电流
- 1 μA典型待机模式电流
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封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
软件&硬件功能
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软件特点
- 程序暂停&简历：读取其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起&简历：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃轮询&触发位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字编程时间
- CFI （通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光灯
器件
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硬件特性
- 部门组保护：硬件级别的方法
防止内业组写操作
- 临时机构撤消： V
ID
的-level方法
在锁定行业不断变化的代码
- WP ＃ / ACC输入：
写保护输入端（ WP ＃ ）保护顶部或底部的两个
不管扇区保护设置部门
ACC （高电压）加速编程时间
系统在生产过程中更高的吞吐量
- 硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
- 就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）表示程序或
擦除周期结束
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
26518
启：
B
Amendment/0
发行日期：
2003年5月16日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
