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DIM400DCM17-A000
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C（ PK ）
P
最大
I
2
t
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
马克斯。晶体管的功耗
二极管我
2
吨价（ IGBT ARM）
二极管我
2
吨价（二极管ARM）
V
ISOL
Q
PD
隔离电压 - 每个模块
局部放电 - 每个模块
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 1800V, V
2
= 1300V ， 50Hz的RMS
T
例
= 75C
1毫秒，T
例
= 110C
T
例
= 25 ° C，T
j
= 150C
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒，T
vj
= 125C
V
GE
= 0V
-
测试条件
马克斯。
1700
±20
400
800
3470
30
120
4000
10
单位
V
V
A
A
W
kA
2
s
kA
2
s
V
pC
2/11
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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